區熔硅片|高阻硅片|FZ硅片|NTD硅片|FZ Silicon Wafers| NTD-doped Silicon Wafers
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產品概覽
區熔硅片Float Zone Wafer是采用懸浮區熔法(Float Zone)長晶而成,亦稱區熔晶圓、FZ晶圓,是一種高純度的硅晶圓,可替代以CZ單晶直拉工藝而成的硅片。 與使用CZ直拉方法制造的晶圓相比,區熔法無需坩堝、生產過程負重小、不受熔點限制,因而區熔晶圓具有許多優點,使其成為太陽能組件、RF器件和精密功率器件等應用的理想選擇。 FZ晶圓的氧和碳雜質濃度較低,需要特地添加氮來改善其機械強度。
規格表
FZ區熔硅片規格
NTD中子輻照硅片
FZ區熔硅片規格
| 項目 | 參數 | 詢價示例 |
|---|---|---|
| Quantity: | ? | 100pcs |
| Growth Method: | Float Zone | FZ |
| Diameter: | 50/75/100/150/200/300mm | 100mm |
| Type/Dopant: | P-Type / N-Type / Intrinsic | N-Type |
| Orientation: | <1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它 | <100> |
| Resistivity: | 100~30,000 ohm-cm | 3000 ohm-cm |
| Thickness: | 275 um ~ 775 um | 500um |
| Finish: | SSP/DSP | DSP |
| Flats: | Notch/Two SEMI Standard Flats | Notch |
| BOW/WARP: | <10 μm | <40um |
| TTV: | <5 μm | <20um |
| Grade: | Prime / Test / Dummy | Prime |
NTD中子輻照硅片
內容完善中!
我們的優勢
- 廣泛的國際化貨源渠道
- 靈活的訂貨數量
- 深入的增值服務:減薄、外延、劃片
典型應用
>> MOSFET
>> IGBT
>> 傳感器
>> 探測器
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知識庫
TBC.
在線詢價
電話&郵件詢價
聯系電話:18600564919
郵件:sales##innotronix.com.cn (用@替代##即可)