硅片的熱氧化層是在有氧化劑的高溫條件下在硅片的裸片表面形成的氧化層或者二氧化硅層。硅片的熱氧化層通常在水平管式爐中生長(zhǎng)而成，生長(zhǎng)溫度范圍一般為900℃~1200℃，有“濕法氧化”和“干法氧化”兩種生長(zhǎng)方式。熱氧化層是一種“生長(zhǎng)”而成的氧化物層，相較于CVD沉積的氧化層，它具有更高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。熱氧化層是作為絕緣體的優(yōu)異的介電層，在眾多硅基器件中，熱氧化物層在作為摻雜阻止層和表面電介質(zhì)方面起著重要作用。

英創(chuàng)力科技提供2“~12”高質(zhì)量的熱氧化硅片，與我們合作的生廠商均選用優(yōu)質(zhì)、無(wú)缺陷的產(chǎn)品級(jí)硅片作為基底來(lái)生長(zhǎng)高均勻性的熱氧化層。以滿(mǎn)足超越客戶(hù)期望的性能。

采用常規(guī)熱氧化工藝后，硅片的雙面均有氧化層；如果只需單面氧化層，我們可采用研磨的辦法去除一面氧化層而僅保留單面氧化層供貨！

Tips:氧化類(lèi)型

1.干法氧化
硅與氧發(fā)生反應(yīng)，氧化層不斷朝向基底層的移動(dòng)。干法氧化需在850至1200℃的溫度下進(jìn)行，生長(zhǎng)速率較低，可用于MOS絕緣柵極生長(zhǎng)。在需要高質(zhì)量、超薄硅氧化層的情況下，干法氧化相較于濕法氧化是優(yōu)選方案。
干法氧化能力：15nm~300nm(150?~3000?)

2.濕法氧化
該方法使用氫氣和高純度氧氣混合物在~1000℃下燃燒，從而產(chǎn)生水蒸氣來(lái)形成氧化層。雖然濕法氧化無(wú)法產(chǎn)生如干法氧化一樣高質(zhì)量的氧化層，但足夠用以作為隔離區(qū)，相比較于干法氧化具有明顯的優(yōu)勢(shì)是其有更高的生長(zhǎng)速率。
濕法氧化能力：50nm~15 μm(500?~15μm)

3. 干法-濕法-干法
該方法采用初始階段向氧化爐中釋放純干氧，氧化中段加放氫氣，尾段再停放氫氣以純干氧繼續(xù)氧化的工藝形成較一般以水蒸汽形式的濕法氧化工藝更致密的氧化結(jié)構(gòu)。

4. TEOS氧化