碳化硅襯底|碳化硅晶片|Silicon Carbide Substrates|SiC Wafers
國際品牌、品質保障！
產品描述
以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。因此下一代半導體材料呼之欲出，碳化硅(SiC)材料成為了第三代半導體材料的代表。碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性。
SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢，彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
第三代半導體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導體材料。和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子遷移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲等領域有著重要應用前景，在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導體照明、智能電網等眾多戰略行業可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上，對人類科技的發展具有里程碑的意義。
英創力科技可批量化為客戶提供進口、國產的高質量導電(Conductive)、半絕緣（Semi-insulating）、HPSI（High Purity Semi-insulating）的碳化硅襯底片；此外可以為客戶提供同質、異質碳化硅外延片；也能根據客戶特定需求定制外延片，并不限起訂量。
合作廠商
Work With Global Leading Brands
規格表
| Item項目 | Specifications參數 | |
|---|---|---|
| Polytype 晶型 |
4H -SiC | 6H- SiC |
| Diameter 晶圓直徑 |
2 inch | 3 inch | 4 inch | 6inch | 2 inch | 3 inch | 4 inch | 6inch |
| Thickness 厚度 |
330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| Conductivity 導電類型 |
N – type / Semi-insulating N型導電片 / 半絕緣片 |
N – type / Semi-insulating N型導電片 / 半絕緣片 |
| Dopant 摻雜劑 |
N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium ) | N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium ) |
| Orientation 晶向 |
On axis <0001> Off axis <0001> off 4° |
On axis <0001> Off axis <0001> off 4° |
| Resistivity 電阻率 |
0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N) |
0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N) |
| Micropipe Density(MPD) 微管密度 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV 總厚度變化 |
≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| Bow / Warp 翹曲度 |
≤25 μm | ≤25 μm |
| Surface 表面處理 |
DSP/SSP | DSP/SSP |
| Grade 產品等級 |
Production / Research grade | Production / Research grade |
| Crystal Stacking Sequence 堆積方式 |
ABCB | ABCABC |
| Lattice parameter 晶格參數 |
a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| Eg/eV(Band-gap) 禁帶寬度 |
3.27 eV | 3.02 eV |
| ε(Dielectric Constant) 介電常數 |
9.6 | 9.66 |
| Refraction Index 折射率 |
n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
| Item 項目 |
Specifications 參數 |
|---|---|
| Polytype 晶型 |
6H-SiC |
| Diameter 晶圓直徑 |
4 inch | 6inch |
| Thickness 厚度 |
350μm ~ 450μm |
| Conductivity 導電類型 |
N – type / Semi-insulating N型導電片 / 半絕緣片 |
| Dopant 摻雜劑 |
N2( Nitrogen ) V ( Vanadium ) |
| Orientation 晶向 |
<0001> off 4°± 0.5° |
| Resistivity 電阻率 |
0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N Type) |
| Micropipe Density(MPD) 微管密度 |
≤ 10/cm2 |
| TTV 總厚度變化 |
≤ 15 μm |
| Bow / Warp 翹曲度 |
≤25 μm |
| Surface 表面處理 |
Si Face: CMP, Epi-Ready C Face: Optical Polish |
| Grade 產品等級 |
Research grade |
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We are coming soon!內容正在完善中！
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可以提供4英寸、6英寸、8英寸的3C-SiC外延服務。以下為8英寸單晶、多晶在庫現貨
| Item No. | Item1 | Item2 | Item3 | Item4 | Item5 | Item6 | Item7 | Item8 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Epilayer | poly:3C-SiC | 3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC |
| Thickness (nm) ±10% | 330 | 300 | 300 | 350 | 450 | 530 | 250 | 200 |
| Thick. Uniformity (σ/mean) | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 |
| Doping Type | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped |
| Doping Level (cm-3) | NA | NA | NA | NA | NA | NA | NA | NA |
| RMS Roughness (nm) | 11 | 4 | 9 | 12 | 9 | 8 | 7 | 7 |
| Substrate | Si | Si | Si | Si | Si | Si | Si | Si |
| Orientation | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) |
| Offcut (°) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Wafer Diameter (mm) | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Doping Type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type |
| Dopant | B | B | B | B | B | B | B | B |
| Resistivity Min (Ω cm) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Resistivity Max (Ω cm) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Thickness (μm) | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 |
| Surface Finish | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP |
可根據客戶要求，定制不同厚度、拋光或者研磨等級不同的晶片。
我們的優勢
- 廣泛的國際化貨源渠道
- 靈活的訂貨數量
- 深入的增值服務:減薄、外延、劃片
應用領域
>> 金屬-氧化物半導體場效應晶體管
(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,?MOSFET)
>> 高溫器件
>> 大功率器件
>> 高頻器件
>> 高壓器件
>> 光電子器件
>> GaN外延
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