氮化鎵襯底|氮化鎵晶片|Gallium Nitride Substrates|GaN Wafers
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以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展，推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限，這些半導(dǎo)體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作，不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。
氮化鎵(GaN)跟碳化硅(SiC)材料一樣，同屬于寬禁帶寬度的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高、高擊穿電場(chǎng)突出特性。GaN器件在LED節(jié)能照明、激光投影顯示、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等高頻、高速、大功率需求領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
英創(chuàng)力科技可提供2~4寸氮化鎵(GaN)單晶襯底片或外延片，以及提供藍(lán)寶石/硅基2~8寸的GaN外延片。
第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子遷移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景，在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上，對(duì)人類科技的發(fā)展具有里程碑的意義。
合作廠商
Work With Global Leading manufacturers
規(guī)格表
| Item 項(xiàng)目 |
GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
|---|---|---|---|
| Diameter 晶圓直徑 |
50.8 ± 1 mm | ||
| Thickness厚度 | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation 晶向 |
C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° | ||
| Prime Flat 主定位邊 |
(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
| Secondary Flat 次定位邊 |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Conductivity 導(dǎo)電性 |
N-type | N-type | Semi-Insulating |
| Resistivity (300K) 電阻率 |
< 0.1 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
| TTV 平整度 |
≤ 15 μm | ||
| BOW 彎曲度 |
≤ 20 μm | ||
| Ga Face Surface Roughness Ga面粗糙度 |
< 0.2 nm (polished); | ||
| or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) | |||
| N Face Surface Roughness N面粗糙度 |
0.5 ~1.5 μm | ||
| option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) | |||
| Dislocation Density 位錯(cuò)密度 |
From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL)* | ||
| Macro Defect Density 缺陷密度 |
< 2 cm-2 | ||
| Useable Area 有效面積 |
> 90% (edge and macro defects exclusion) | ||
可根據(jù)客戶要求，定制不同結(jié)構(gòu)的硅基、藍(lán)寶石基、SiC基的GaN外延片。
我們的優(yōu)勢(shì)
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