英創(chuàng)力科技為半導(dǎo)體領(lǐng)域微電子、光電子等領(lǐng)域提供從研究的桌面便攜型到批量生產(chǎn)涉及到原材料檢測、性能檢測、和生產(chǎn)用的專業(yè)儀器與設(shè)備。
半導(dǎo)體應(yīng)用
提供半導(dǎo)體行業(yè)研究、研發(fā)、制造等領(lǐng)域生產(chǎn)、檢測應(yīng)用的領(lǐng)先解決方案。
列真第三代半導(dǎo)體材料缺陷檢測儀
該檢測儀能滿足第三代半導(dǎo)體材料碳化硅SiC、氮化鎵GaN、鈦酸鋰LiTaO3、鈮酸鋰LiNbO3等單晶襯底及外延的缺陷檢查；同時實現(xiàn)襯底表面、內(nèi)部、背面包括顆粒度、劃痕、蝕刻坑、微管、層錯和外延層常見的胡蘿卜、三角等外延缺陷。
產(chǎn)地：日本
低壓等離子表面清洗系統(tǒng)
The V6-G features a process chamber that is 6.7″ H x 6.7″ W x 7.9″ D and microwave excitation (2.45 GHz) of the plasma. This model is primarily used for small scale production and in R&D laboratories.
產(chǎn)地：德國
晶圓檢查紅外顯微鏡
硅具有可透過紅外光(IR)的特性，紅外顯微鏡正式利用該特征，使用裝配的分辨率高達(dá)3μm的紅外物鏡可以輕松的檢測晶圓內(nèi)部的缺陷或者結(jié)構(gòu)特征，比如：MEMS鍵合狀況、SOI埋氧層SiO2的刻蝕不足(Under-etching)。顯微鏡配備背光照明，可在傳統(tǒng)模式下使用以檢查晶圓的頂部，容納晶圓最大直徑為200mm。
產(chǎn)地：瑞士
晶圓鍵合檢查機(jī)
特別適用于各類MEMS鍵合晶圓的檢查，如熔融鍵合(Fusion Bonding)晶圓。可以讓晶圓鍵合前后的狀況可視化，還能觀察MEMS腔體刻蝕和鍵合環(huán)粘結(jié)狀況。
適用于：MEMS和鍵合晶圓；MEMS內(nèi)部結(jié)構(gòu)的檢查
產(chǎn)地：瑞士
