砷化鎵襯底|砷化鎵晶片|砷化鎵外延片|GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| Galllium Arsenide Substrates
國際品牌、品質保障！
砷化鎵（GaAs）是一種優良的半導體材料，具有禁帶寬度大（direct band gap）、高遷移率（high electron mobility）、高頻低噪音（high-frequency low noise）以及高轉換率（high conversion efficiency）等突出的優點。
GaAs襯底分為導電片與半絕緣片兩種，廣泛應用于激光器（LD）、半導體發光二極管（LED）、近紅外激光器、量子阱大功率激光器和高效太陽能電池板；雷達、微波、毫米波或者超高速計算機及光通信所需的HEMT和HBT芯片；無線通信、4G、5G、衛星通信、WLAN所需的射頻器件。
近來，砷化鎵襯底也在mini-LED、Micro-LED、紅光LED方面取得較大進展，廣泛應用于AR/VR可穿戴設備上。
英創力科技可提供數家進口砷化鎵襯底，亦可根據客戶需要提供國產導電、半絕緣雙拋、單拋和雙磨砷化鎵晶片。
英創力科技還與國內、國際多家商業機構及研究機構開展了業務聯營，基于MBE和MOCVD技術為客戶提供從原型樣品(Prototype)到小批量、商業化量產的GaAs外延代工業務，產品類型已覆蓋：HMET、p-HMET、HALL、HBT、PD探測器、APD雪崩二極管、VCSEL等豐富的產品類型。
合作廠商
Working With Global Leading Manufacturers
襯底規格表
| Diameter 晶片直徑 |
50mm | 75mm | 100mm | 150mm |
|---|---|
| Growth Method 生長方式 |
LEC 液封直拉法 VGF 垂直梯度凝固法 |
| Wafer Thickness 厚度 |
350 um ~ 625 um |
| Orientation 晶向 |
<100> / <111> / <110> or others |
| Conductive Type 導電類型 |
P – type / N – type / Semi-insulating |
| Type/Dopant 摻雜劑 |
Zn / Si / undoped |
| Carrier Concentration 載流子濃度 |
1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| Resistivity at RT 室溫電阻率(ohm?cm) |
≥1E7 for SI |
| Mobility 遷移率(cm2/V?Sec) |
≥4000 |
| EPD( Etch Pit Density ) 腐蝕坑密度 |
100~1E5 |
| TTV 總厚度變化 |
≤ 10 um |
| Bow / Warp 翹曲度 |
≤ 20 um |
| Surface Finish 表面 |
DSP/SSP |
| Laser Mark 激光碼 |
|
| Grade 等級 |
Epi polished grade / mechanical grade |
可根據客戶要求，定制不同厚度、拋光或者研磨等級不同的晶片。
外延規格表
可根據客戶要求，定制不同結構、厚度的GaAs外延片，我們的外延規格和產品主要覆蓋以下類型。
外延典型結構
我們的優勢
- 廣泛的國際化貨源渠道
- 靈活的訂貨數量
- 深入的增值服務:減薄、外延、劃片
應用領域
- VCSEL/HCSEL
- WLAN
- 4G/5G基站
- 太陽能
- 功率放大器PA
- Wi-Fi
- 微波器件
- Mini- & Micro-LED
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