化學機械拋光液|CMP Slurry
更高品質、更高性價比!
產品描述
化學機械拋光CMP(Chemical Mechanical Polishing),亦作化學機械平坦化(Planarization),是集成電路制造過程中實現晶圓平坦化的關鍵工藝。下圖展示了晶圓層間平坦化前后的效果。

CMP的應用主要在集成電路生產的以下三個方面:1)襯底材料:所有的半導體材襯底片在出廠前均需要化學機械拋光。 2)芯片制造的前道制程:FEOL中的SiO2,Si3N4及多晶硅的阻擋層,SiO2/BPSG/PSG等層間介質ILD(Inner-layer dielectric)和Al/Cu/W等金屬互聯,邏輯器件的晶體管中的高k金屬柵結構(HKMG-high k/Metal Gate structure)的平坦化等;3)先進封裝:集成電路的小型化引領封裝工藝的疊層化,金屬鍵合面也需要CMP工藝確保晶圓的整體平坦化。不同制程對于去除速率、均勻性有不同的要求,因此需要用到不同的拋光液。
英創力科技代理分銷的PS系列拋光液,對標世界一流拋光液的性能,能滿足目前8-12寸大硅片的生產、再生硅片工藝的需求;同時提供滿足FAB和封裝廠不同制程節點所需的氧化物拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、硅通孔(TSV)銅拋光液。
產品系列
我們提供了基于硅制程的全制程CMP拋光液的解決方案。
| 拋光液類型 | 產品系列 | 產品優點 |
|---|---|---|
| 硅粗拋光液 | PSC01 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的粗拋光 |
| 高去除速率(Rate 0.8-1.0um/min)、循環性好 | ||
| 低表面粗糙度(Ra<0.7nm,30um*30um,AFM) | ||
| 1:20-1:40稀釋使用 | ||
| 硅中拋光液 | PSZ08 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的中拋光 |
| 去除速率穩定(Rate 0.2-0.6um/min)、循環性好 | ||
| 低表面粗糙度(Ra<0.3nm,30um*30um,AFM) | ||
| 1:20-1:40稀釋使用 | ||
| 硅精拋光液 | PSF3200 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的精拋光 |
| 低顆粒殘留(12’wafer,40nmPA<80ea,SP5) | ||
| 低表面粗糙度(12’wafer,Ra<0.10nm,30um*30um,AFM) | ||
| 低Haze值(12’wafer,Haze<0.08,SP5) | ||
| 低金屬離子含量(Mn+總<5ppm,ICP-MS) | ||
| 1:19稀釋使用 | ||
| 氧化物拋光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000(高純) |
PSO4000、PSO4500應用于28nm及以上技術節點集成電路柵極氧化層、犧牲層、絕緣層和層間介質材料的拋光 |
| 高去除速率(Rate 4000A/min@3Psi) | ||
| 低表面粗糙度(Ra<0.25nm,30um*30um,AFM) | ||
| PSO3000(高純)為高純氧化物拋光液,適用于更高技術節點 | ||
| 去除速率穩定(Rate 3000A/min@3Psi) | ||
| 金屬離子含量低(M總n+≤5ppm) | ||
| 1:1稀釋或者原液使用 | ||
| 鎢拋光液 | PSW3007 | PSW3007應用于130nm及以上技術節點集成電路金屬W的拋光 |
| 高去除速率(3000~4000A/min,可調) | ||
| 低表面粗糙度(Ra<0.3nm,30um*30um,AFM) | ||
| 高選擇比(RateW: RateTEOS=20~100可調) | ||
| 原液或者1:1稀釋使用 | ||
| 銅拋光液 | PSCu7800 PSCu5700 (高純) |
PSCu7800應用于28nm及以上技術節點集成電路Cu銅布線的拋光 |
| 高去除速率,對CMP壓力敏感(8500A/min@1.95Psi,5000A/min@1.25Psi) | ||
| 高速率選擇比(RateCu: RateTa:RateTEOS,700:0.2:1,可調) | ||
| 低表面粗糙度(12’wafer,Ra<0.40nm,30um*30um,AFM) | ||
| 1:10稀釋使用 | ||
| PSCu5700(高純)金屬離子含量低,更適用于先進制程 | ||
| 去除速率穩定,對CMP壓力敏感(5700A/min@1.95Psi,3800A/min@1.25Psi) | ||
| 高速率選擇比(RateCu: RateTa:RateTEOS,1800:1:1.5,可調) | ||
| 低表面粗糙度(12’wafer,Ra<0.40nm,30um*30um,AFM) | ||
| 1:10稀釋使用 | ||
| TSV Cu 拋光液 | PST13000 PST22000 |
PST13000應用于集成電路TSV Cu的拋光,高去除速率,低表面粗糙度,對Dishing控制能力強 |
| 高去除速率,對CMP壓力敏感(13000A/min@2.2Psi,6000A/min@1.1Psi) | ||
| 低粗糙度(12’wafer,Ra<2.0nm,30um*30um,AFM) | ||
| PST22000應用于集成電路TSV Cu的拋光,高去除速率,低表面粗糙度 | ||
| 高去除速率,對CMP壓力敏感(22000A/min@2.2Psi,12000A/min@1.1Psi) | ||
| 低粗糙度(12’wafer,Ra<2.5nm,30um*30um,AFM) |
產品優勢
英創力科技提供的拋光液具有國內自主知識產權,可媲美國際主流廠商的性能。其高稀釋比、穩定的拋光性能使得具有較高的性價比。
>> 高去除速率
>> 高稀釋比
>> 高選擇比
>> 高穩定性
>> 低霧值(haze)
>>? 低缺陷
>> 更低成本
應用領域
PS系列的拋光液產品提供供硅材料的粗拋、中拋、精拋到氧化物拋光液,及銅、鎢拋光液,覆蓋了從半導體材料到FEoL到BEoL全方位的解決方案。
| 拋光液類型 | 產品系列 | 硅片生產 | 硅片再生 | FEOL 層間介質 |
FEOL 鎢通孔 |
FEOL 銅制程 |
TSV | 封裝CMP |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 硅粗拋光液 | PSC01 | ● | ● | |||||
| 硅中拋光液 | PSZ08 | ● | ● | |||||
| 硅精拋光液 | PSF3200 | ● | ● | ● | ||||
| 氧化物拋光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000 (高純) |
● | ||||||
| 鎢拋光液 | PSW3007 | ● | ||||||
| 銅拋光液 | PSCu7800 PSCu5700 (高純) |
● | ● | |||||
| TSV Cu拋光液 | PST13000 PST22000 |
● |
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