化學機械拋光液|CMP Slurry
更高品質、更高性價比！
產品描述
化學機械拋光CMP(Chemical Mechanical Polishing)，亦作化學機械平坦化(Planarization)，是集成電路制造過程中實現晶圓平坦化的關鍵工藝。下圖展示了晶圓層間平坦化前后的效果。
CMP的應用主要在集成電路生產的以下三個方面：1）襯底材料：所有的半導體材襯底片在出廠前均需要化學機械拋光。 2）芯片制造的前道制程：FEOL中的SiO2，Si3N4及多晶硅的阻擋層，SiO2/BPSG/PSG等層間介質ILD（Inner-layer dielectric）和Al/Cu/W等金屬互聯，邏輯器件的晶體管中的高k金屬柵結構（HKMG-high k/Metal Gate structure）的平坦化等；3)先進封裝：集成電路的小型化引領封裝工藝的疊層化，金屬鍵合面也需要CMP工藝確保晶圓的整體平坦化。不同制程對于去除速率、均勻性有不同的要求，因此需要用到不同的拋光液。
英創力科技代理分銷的PS系列拋光液，對標世界一流拋光液的性能，能滿足目前8-12寸大硅片的生產、再生硅片工藝的需求；同時提供滿足FAB和封裝廠不同制程節點所需的氧化物拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、硅通孔(TSV)銅拋光液。
產品系列
我們提供了基于硅制程的全制程CMP拋光液的解決方案。
| 拋光液類型 | 產品系列 | 產品優點 |
|---|---|---|
| 硅粗拋光液 | PSC01 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的粗拋光 |
| 高去除速率（Rate 0.8-1.0um/min）、循環性好 | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.7nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:20-1:40稀釋使用 | ||
| 硅中拋光液 | PSZ08 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的中拋光 |
| 去除速率穩定（Rate 0.2-0.6um/min）、循環性好 | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.3nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:20-1:40稀釋使用 | ||
| 硅精拋光液 | PSF3200 | 應用于8-12吋大硅片及再生晶圓的精拋光 |
| 低顆粒殘留（12’wafer，40nmPA＜80ea，SP5） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.10nm，30um*30um，AFM） | ||
| 低Haze值（12’wafer，Haze＜0.08，SP5） | ||
| 低金屬離子含量（Mn+總＜5ppm，ICP-MS） | ||
| 1:19稀釋使用 | ||
| 氧化物拋光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000（高純） |
PSO4000、PSO4500應用于28nm及以上技術節點集成電路柵極氧化層、犧牲層、絕緣層和層間介質材料的拋光 |
| 高去除速率（Rate 4000A/min@3Psi） | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.25nm，30um*30um，AFM） | ||
| PSO3000（高純）為高純氧化物拋光液，適用于更高技術節點 | ||
| 去除速率穩定（Rate 3000A/min@3Psi） | ||
| 金屬離子含量低（M總n+≤5ppm） | ||
| 1:1稀釋或者原液使用 | ||
| 鎢拋光液 | PSW3007 | PSW3007應用于130nm及以上技術節點集成電路金屬W的拋光 |
| 高去除速率（3000~4000A/min，可調） | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.3nm，30um*30um，AFM） | ||
| 高選擇比（RateW: RateTEOS=20~100可調） | ||
| 原液或者1:1稀釋使用 | ||
| 銅拋光液 | PSCu7800 PSCu5700 （高純） |
PSCu7800應用于28nm及以上技術節點集成電路Cu銅布線的拋光 |
| 高去除速率，對CMP壓力敏感（8500A/min@1.95Psi，5000A/min@1.25Psi） | ||
| 高速率選擇比（RateCu: RateTa：RateTEOS，700:0.2:1，可調） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.40nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:10稀釋使用 | ||
| PSCu5700（高純）金屬離子含量低，更適用于先進制程 | ||
| 去除速率穩定，對CMP壓力敏感（5700A/min@1.95Psi，3800A/min@1.25Psi） | ||
| 高速率選擇比（RateCu: RateTa：RateTEOS，1800:1:1.5，可調） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.40nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:10稀釋使用 | ||
| TSV Cu 拋光液 | PST13000 PST22000 |
PST13000應用于集成電路TSV Cu的拋光，高去除速率，低表面粗糙度，對Dishing控制能力強 |
| 高去除速率，對CMP壓力敏感（13000A/min@2.2Psi，6000A/min@1.1Psi） | ||
| 低粗糙度（12’wafer，Ra＜2.0nm，30um*30um，AFM） | ||
| PST22000應用于集成電路TSV Cu的拋光，高去除速率，低表面粗糙度 | ||
| 高去除速率，對CMP壓力敏感（22000A/min@2.2Psi，12000A/min@1.1Psi） | ||
| 低粗糙度（12’wafer，Ra＜2.5nm，30um*30um，AFM） |
產品優勢
英創力科技提供的拋光液具有國內自主知識產權，可媲美國際主流廠商的性能。其高稀釋比、穩定的拋光性能使得具有較高的性價比。
>> 高去除速率
>> 高稀釋比
>> 高選擇比
>> 高穩定性
>> 低霧值(haze)
>>? 低缺陷
>> 更低成本
應用領域
PS系列的拋光液產品提供供硅材料的粗拋、中拋、精拋到氧化物拋光液，及銅、鎢拋光液，覆蓋了從半導體材料到FEoL到BEoL全方位的解決方案。
| 拋光液類型 | 產品系列 | 硅片生產 | 硅片再生 | FEOL 層間介質 |
FEOL 鎢通孔 |
FEOL 銅制程 |
TSV | 封裝CMP |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 硅粗拋光液 | PSC01 | ● | ● | |||||
| 硅中拋光液 | PSZ08 | ● | ● | |||||
| 硅精拋光液 | PSF3200 | ● | ● | ● | ||||
| 氧化物拋光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000 （高純） |
● | ||||||
| 鎢拋光液 | PSW3007 | ● | ||||||
| 銅拋光液 | PSCu7800 PSCu5700 （高純） |
● | ● | |||||
| TSV Cu拋光液 | PST13000 PST22000 |
● |
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